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来源：网络 作者：
| 申请专利号 | cn03128025.0 |
| 专利申请日 | 2003.05.23 |
| 名称 | 用于高密度光磁混合记录的垂直磁化膜 |
| 公开（公告）号 | cn1453768 |
| 公开（公告）日 | 2003.11.05 |
| 类别 | 物理 |
| 颁证日 | |
| 优先权 | |
| 申请（专利权） | 华中科技大学 |
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |
| 发明（设计）人 | 李佐宜;黄致新;林更琪;李震 |
| 国际申请 | |
| 国际公布 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 华中科技大学专利中心 |
| 代理人 | 曹葆青 |
| 摘要 | |
| 本发明公开了一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜，包括底层、磁性层和顶层，所述磁性层为由读出层和写入层构成的双层耦合膜，读出层的元素组成为：轻稀土元素12％-18％；重稀土元素：8％-15％；过渡金属元素：68％-80％；写入层的元素组成为：轻稀土元素：7％-17％；重稀土元素：25％-33％；过渡金属元素：50％-68％。由于重稀土元素的饱和磁化强度ms较小，而轻稀土元素以及过渡金属元素的ms较大，采用溅射法制备出的这种结构的垂直磁化膜为亚铁磁结构，在溅射制膜的过程中，调节轻重稀土元素的比例、稀土元素与过渡金属元素的比例，可以获得饱和磁化强度ms大，磁各向异性常数k | |
| 主权项 | |
| 1、一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜，包括底层、磁性层和顶层，所述磁性层为轻稀土-重稀土-过渡金属双层耦合膜，该双层耦合膜是由读出层和写入层构成，读出层的元素组成为：轻稀土元素：12％-8％；重稀土元素：8％-15％；过渡金属元素：68％-80％；写入层的元素组成为：轻稀土元素：7％-17％；重稀土元素：25％-33％；过渡金属元素：50％-68％。 | |
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